特許
J-GLOBAL ID：200903046623759011

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-048672
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233789
出願日： 1998年02月12日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 バルク型FETとTFTとを3次元的に集積した高性能・高集積化半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1にはピニングFET11、12でなる第1のCMOS回路と、これを覆う絶縁層3が形成され、この絶縁層3上にTFT21、22でなる第2のCMOS回路が形成されている。ピニングFETの活性領域15、18には、基板1と逆導電型の不純物がソース領域からドレイン領域に伸びたストライプ状に添加される。この不純物領域によって、短チャネル効果に伴う空乏層の広がりを抑止する。またTFT21、22の島状領域に結晶粒界が連続的な結晶化半導体膜を用いることで、を向上させて、FETとTFTとのモビリティー等の特性の差を小さくする。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、半導体基板に形成されたソース領域、ドレイン領域および活性領域を有する絶縁ゲイト型半導体素子と、該半導体素子上に形成された絶縁層と、該絶縁層上に形成され、結晶性半導体薄膜でなるソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を有する薄膜トランジスタと、を有する半導体装置であって、前記半導体素子の活性領域は、局所的に形成された不純物領域と、前記不純物領域に挟まれた真性もしくは実質的に真性なチャネル形成領域を有することを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 F
引用特許：
審査官引用 (20件)
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