特許
J-GLOBAL ID：200903024939337514
半導体装置の製造方法および半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-352031
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201716
出願日： 1993年12月29日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 化学量論的に不安定な結合を有する反射防止膜の変質を防ぎ、良好に安定した微細パターンを形成することができる半導体装置の構造およびその製造方法を提供すること。【構成】 下地基板上に、化学量論的に不安定な結合を有する反射防止膜12を形成し、この反射防止膜12上に、この反射防止膜12の光学条件の変化を抑止する保護膜14を形成し、この保護膜14上に、直接または層間膜を介して、レジスト膜を形成し、このレジスト膜をフォトリソグラフィー法により所定のパターンに加工する。
請求項（抜粋）：
下地基板上に、フォトリソグラフィー法により所定パターンのレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクとして、エッチングを行い、上記下地基板を加工する半導体装置の製造方法であって、上記下地基板上に、化学量論的に不安定な結合を有する反射防止膜を形成する工程と、この反射防止膜上に、この反射防止膜の光学条件の変化を抑止する保護膜を形成する工程と、この保護膜上に、直接または層間膜を介して、レジスト膜を形成する工程と、このレジスト膜をフォトリソグラフィー法により所定のパターンに加工する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/11 503
, H01L 21/318
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (5件)
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