特許

J-GLOBAL ID：200903024940408530

上面入射型受光素子アレイ

発明者： 猪口 康博
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-058482
公開番号（公開出願番号）：特開2005-251890
出願日： 2004年03月03日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：

【課題】 二次元的或いは一次元的に複数の受光素子を1チップ上に並列させた上面入射型受光素子アレイにおいて裏面の共通電極で乱反射されて近接素子のpn接合へ入り近接素子で光電流を発生させる漏れ光がある。それが光学的クロストークを引き起こす。近接素子間の光学的クロストークを低減することが目的である。【解決手段】 受光層と同じ程度のバンドギャップか、それより狭いバンドギャップの光吸収層を、裏面電極と受光層の間に設ける。漏れ光は裏面電極で反射される前後で光吸収層を通るから2回吸収されて減衰し光学的クロストークは低減する。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、半導体基板の裏面に設けられた第1導電型の電極と、基板表面側に形成された第1導電型の受光層と、一次元的又は二次元的に配列するように受光層の中に複数個離隔して形成された第2導電型領域と、複数の第2導電型領域の一部に設けられた個別の第2導電型電極と、第2導電型領域の残りの部分を覆い入射光の反射を防ぐ反射防止膜と、受光層の吸収端波長λgrと同じか、またはそれよりも長い吸収端波長λga(λga≧λgr)をもつ光吸収層を第1導電型電極と受光層の間に少なくとも一つ設けたことを特徴とする上面入射型受光素子アレイ。

IPC (2件)：

H01L31/10 ,  H01L27/146

FI (2件)：

H01L31/10 A ,  H01L27/14 A

Fターム (20件)：

4M118AA05 ,  4M118BA06 ,  4M118CA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CA20 ,  4M118CA32 ,  4M118CB01 ,  4M118CB03 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA04 ,  5F049NB01 ,  5F049PA04 ,  5F049PA09 ,  5F049QA11 ,  5F049QA17 ,  5F049QA18 ,  5F049RA03 ,  5F049RA10 ,  5F049SZ03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 受光素子アレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-322009   出願人：日本板硝子株式会社
• ホトダイオードアレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-331187   出願人：浜松ホトニクス株式会社

審査官引用 (1件)

• フォトダイオードアレイ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-122240   出願人：横河電機株式会社