特許
J-GLOBAL ID：200903024949048596
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-212521
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044230
出願日： 1999年07月27日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】半導体素子の電極部に半田バンプを一括して安定且つ正確に転写することにある。【解決手段】マトリックス状に半田バンプ4を形成した転写シート3へ電極部2を形成した半導体素子1を載せ、位置合わせをした後、320度C乃至360度Cの高温雰囲気炉5中で加熱する。この転写シート3は、薄く形成しておくことにより、シート自体の反りを無くし、同量且つ同形状で半田バンプを転写する。
請求項（抜粋）：
転写シートへマトリックス状に半田バンプを形成するバンプ形成工程と、底面に電極部を形成した半導体素子を前記転写シートに載せ、前記半導体素子の前記電極部を前記転写シートの前記半田バンプに当接する位置合わせ工程と、前記半導体素子および前記転写シートを320度C乃至360度Cの高温雰囲気炉中で加熱し、前記半導体素子の前記電極部に前記半田バンプを転写する加熱転写工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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