特許
J-GLOBAL ID：200903024977927791
電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-068013
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269480
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 電気的特性が優れ,かつゲートリーク電流の小さなエンハンスメント型電界効果トランジスタ(とくにHEMT)を提供する。【解決手段】 Al含有量が0.5モル比未満の化合物半導体からなる電子供給層4上に,Al含有量が0.5モル比を超える化合物半導体からなるショットキ層5を積層し,その上にゲート電極8を形成する。エンハンスメント動作をさせるためにショットキ層5を薄くしても,ショットキ層5の禁制帯幅が広いためゲートリーク電流が少ない。一方,電子供給層4のAl含有量は少ないため,電子走行層3と電子供給層4の界面の結晶性がよく,トランジスタ特性は劣化しない。
請求項（抜粋）：
電子走行層と,該電子走行層上に順次堆積されたn型Al含有化合物半導体層からなる電子供給層及びAl含有化合物半導体層からなるショットキ層と,該ショットキ層上に設けられたゲート電極とを有する電界効果トランジスタであって,該電子供給層のAl組成比が0.5モル比未満であり,該ショットキ層のAl組成比が0.5モル比以上であることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ05
, 5F102GK06
, 5F102GL04
, 5F102GL05
, 5F102GM06
, 5F102GM07
, 5F102GN05
, 5F102GQ01
, 5F102GS02
, 5F102GS04
, 5F102GT03
, 5F102GT05
, 5F102HC01
, 5F102HC07
, 5F102HC15
