特許
J-GLOBAL ID：200903024997715324
半導体メモリ装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-314137
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153602
出願日： 1996年11月12日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：
【要約】【課題】 消費電力及びデータの消失等を減少させるとともに、セルの大きさを減少して集積化すること。【解決手段】 第1導電型半導体基板の上側に、電荷を充電もしくは放電する第1電極と、その上側に第1電極の電荷充放電及びデータ読み出し/書き込みを制御する第2電極とを形成させるとともに、基板表面部のこれらの電極の少なくとも一方の側に電荷を供給する電荷入出力端を形成させた。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板と、前記半導体基板の上側に形成され、電荷を充電もしくは放電する第1電極と、前記第1電極の上側に形成され、第1電極の電荷の充放電及びデータ読み出し/書き込みを制御する第2電極と、半導体基板の前記第1、第2電極の少なくとも一方の側に形成され、電荷を供給する電荷入出力端とを有することを特徴とする半導体メモリ装置。
IPC (4件)：
H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
