半導体発光素子

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安藤淳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-342998
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179347
出願日： 2002年11月26日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】電極のオーミック接触性と高反射率を維持しながら比較的容易に製造できる発光効率の向上した半導体発光素子を提供すること。【解決手段】支持基板1の一方の面にn型の半導体層2と、発光層3と、p型の半導体層4とを順次積層して備え、p型の半導体層4にp電極6を設けるとともに、n型の半導体層2と発光層3とp型の半導体層4の一部を除去して露出させたn型の半導体層2にn電極5を設けた半導体発光素子。p電極6及びn電極5は、それぞれp型の半導体層4及びn型の半導体層2のほぼ全面に接触して形成された酸化インジウム錫からなる透明層51,61と、その上に形成されて大きさを少なくとも透明層51,61と同等とし、銀、アルミニウム、ロジウムのうち少なくとも一つの材料からなる反射層52,62とを積層してなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

支持基板と、支持基板の一方の面にn型の半導体層と、発光層と、p型の半導体層とを順次積層して備え、p型の半導体層にp電極を設けるとともに、n型の半導体層と発光層とp型の半導体層の一部を除去して露出させたn型の半導体層にn電極を設けた半導体発光素子であって前記p電極及び前記n電極は、それぞれ前記p型の半導体層及び前記n型の半導体層のほぼ全面に接触して形成された酸化インジウム錫からなる透明層と、透明層上に形成されてその大きさを少なくとも透明層と同等とし、銀、アルミニウム、ロジウムのうち少なくとも一つの材料からなる反射層とを積層してなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L33/00 , H01L21/28

FI (3件)：

H01L33/00 E , H01L33/00 C , H01L21/28 301B

Fターム (13件)：

4M104AA04 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD79 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA83 , 5F041CA86 , 5F041CA88

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-341612 出願人：株式会社東芝
波長変換型半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-040876 出願人：スタンレー電気株式会社
反射p電極を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-345584 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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