特許
J-GLOBAL ID：200903025003573018

面発光型半導体レーザおよびその製造方法

発明者：
宮本 育昌

宮本 育昌 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (2件)： 片寄 恭三 ,  片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-107322
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319553
出願日： 2003年04月11日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】メサ構造あるいはポスト構造を外部から保護することができる、VCSELを提供する。【解決手段】ポスト構造を有する選択酸化型の面発光型半導体レーザは以下の構成を有する。表面に下部半導体多層反射膜12を含むGaAs基板10と、基板上に形成されたポスト構造20と、基板上に形成される複数の離間された突出部30、31、32とを含み、複数の突出部30、31、32は、ポスト構造20と同程度の高さを有する。好ましくは、ポスト構造20と複数の突出部は、同一の半導体層を含み、かつ、ポスト構造と複数の突出部との上面が実質的に同一の高さである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ポスト構造を有する選択酸化型の面発光型半導体レーザであって、 表面に半導体層を含む基板と、 前記基板上に形成された前記ポスト構造と、 前記基板上に離間して形成された複数の突出部とを含み、 前記複数の突出部は、前記ポスト構造と同程度の高さを有する、面発光型半導体レーザ。
IPC (1件)：
H01S5/183
FI (1件)：
H01S5/183
Fターム (12件)：
5F073AA11 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073AB17 ,  5F073BA02 ,  5F073BA08 ,  5F073CA04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073DA27 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (5件)
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