特許
J-GLOBAL ID：200903025005128976

バイアホールの形成方法並びに半導体装置

発明者：
矢倉 基次

矢倉 基次 について

, 
元内 義記

元内 義記 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-344189
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151979
出願日： 2001年11月09日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：
【要約】【課題】 バイアホールをバイアホール導電体で容易かつ確実に埋めることができ、製造歩留まりの高いバイアホールの製造方法、並びに半導体装置を提供する。【解決手段】 GaAs基板101を裏面側から加工した後、GaAs基板101aの裏面に接地導体106を設ける。次に、GaAs基板101bの表面側から、接地導体106に達するバイアホール107A,107BをGaAs基板101bに形成する。そして、バイアホール107A,107B内にバイアホールメタル108を形成して、接地導体106とバイアホールメタル108とを接続する。
請求項（抜粋）：
基板を裏面側から加工する第1の工程と、上記基板の裏面に導電層を設ける第2の工程と、上記基板の表面側から、上記導電層に達するバイアホールを上記基板に形成する第3の工程と、上記バイアホール内にバイアホール導電体を形成して、上記導電層と上記バイアホール導電体とを接続する第4の工程とを備えたことを特徴とするバイアホールの形成方法。
IPC (6件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/737 ,  H01L 29/812
FI (4件)：
H01L 21/88 J ,  H01L 29/44 B ,  H01L 29/72 H ,  H01L 29/80 U
Fターム (29件)：
4M104AA05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD07 ,  4M104DD52 ,  4M104FF02 ,  4M104FF21 ,  4M104GG12 ,  4M104GG13 ,  5F003AP09 ,  5F003BA92 ,  5F003BH18 ,  5F003BM02 ,  5F003BP00 ,  5F003BP93 ,  5F033GG02 ,  5F033KK13 ,  5F033KK18 ,  5F033MM05 ,  5F033MM30 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102HC30
引用特許：
審査官引用 (9件)
  • 半導体集積回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-011450   出願人：沖電気工業株式会社
  • 特開昭63-033865
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-321784   出願人：日本電気株式会社
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