特許
J-GLOBAL ID：200903025017295630
レジストパターン形成方法およびレジストパターン形成用モールド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-009625
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221465
出願日： 2003年01月17日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】例えば金属パターンを作製するためのマスクとして使用する際に不良を発生させることなくその金属パターンを作製し得るレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】ディスク状基材Dの表面にレジスト材を塗布して所定厚みのレジスト層Rを形成し、レジスト材のガラス転位点以上にレジスト層Rを加熱し、その表面に凹凸部が形成されたモールド24の凹凸部を加熱したレジスト層Rに押し当てて凹凸部の凹凸形状を転写することによってレジスト層Rにレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法であって、凹凸部における凸部24pの配列ピッチPが90nm以上200nm以下の範囲内でかつレジスト層Rの所定厚みに対する凸部24pの突出長Hmの比率が2.30以上に形成されているモールド24を用いてレジストパターンを形成する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基材表面にレジスト材を塗布して所定厚みのレジスト層を形成し、当該レジスト材のガラス転位点以上に前記レジスト層を加熱し、その表面に凹凸部が形成されたレジストパターン形成用モールドの当該凹凸部を前記加熱したレジスト層に押し当てて当該凹凸部の凹凸形状を転写することによって当該レジスト層にレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法であって、
前記レジストパターン形成用モールドとして前記凹凸部における凸部の配列ピッチが90nm以上200nm以下の範囲内でかつ前記レジスト層の前記所定厚みに対する当該凸部の突出長の比率が2.30以上に形成されているモールドを用いて前記レジストパターンを形成するレジストパターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 502D
, B05D5/06 104J
4D075AC42
, 4D075BB06Y
, 4D075BB22Y
, 4D075BB23Y
, 4D075BB92Y
, 4D075BB93Y
, 4D075CB33
, 4D075DA06
, 4D075DA08
, 4D075DB13
, 4D075DB14
, 4D075DB31
, 4D075DC22
, 4D075DC27
, 4D075EA07
, 4D075EA45
, 4D075EB14
, 4D075EB22
, 5D112AA16
, 5D112AA24
, 5D112CC05
, 5D112CC13
, 5D112GA02
, 5D112GA12
, 5D112GA20
, 5F046AA28
