特許
J-GLOBAL ID：200903025032935611
半導体モジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-042486
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243905
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 スイッチング素子がオフ状態にあるときに印加される急激な電圧上昇によって過渡的に素子がターンオンする問題を、過大なコンデンサの挿入によるゲート駆動電力の増大や、ゲート配線のインダクタンスとの間に形成される共振回路による振動などの問題を生じることなく解決する半導体モジュールを提供する。【解決手段】 スイッチング素子を構成する素子チップ1a、1b、1c、...のゲート・エミッタ間に、モジュール内コンデンサ6を追加することにより、スイッチング素子がオフしている期間に印加される急激な電圧上昇に起因する過渡的なターンオン現象を効果的に抑制する。
請求項（抜粋）：
モジュール内部において、スイッチング素子を構成する少なくとも一つの半導体チップの制御入力端子対間にコンデンサを接続することを特徴とする半導体モジュール。
IPC (2件)：
引用特許：
審査官引用 (3件)
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-008680
出願人：株式会社日立製作所
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混成集積回路
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-066739
出願人：三洋電機株式会社
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絶縁ゲート型半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-136297
出願人：株式会社東芝
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