特許
J-GLOBAL ID：200903025048081850
高集積強誘電体メモリ装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-156466
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111933
出願日： 1998年06月04日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 プレートラインが強誘電体キャパシタの下部電極として用いられる強誘電体メモリ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 プレートラインとして作用する下部電極108が一対のソース領域112に各々隣接してワードライン105と平行に延長され、下部電極108上に強誘電体膜130及び上部電極140が形成されて一対の強誘電体キャパシタを構成する。上部電極140は前記一対のソース領域112の1つに電気的に連結される。また、ビットライン190がドレイン領域114に電気的に連結され、ワードライン105と直交する方向に延長される。
請求項（抜粋）：
所定の方向に延長される活性領域を含む半導体基板と、前記活性領域を横切りながら、離隔されて相互平行に延長される一対のワードラインと、前記一対のワードラインの間の活性領域に形成されたドレイン領域と、前記ワードラインを中心に前記ドレイン領域の反対側の活性領域に各々形成された一対のソース領域と、前記一対のソース領域に各々隣接して前記ワードラインと平行に延長されてプレートラインとして作用する下部電極と、前記下部電極を一部覆う強誘電体膜と、前記強誘電体膜を覆い、前記一対のソース領域の1つに電気的に連結される上部電極を各々具備する一対の強誘電体キャパシタと、前記ドレイン領域に電気的に連結され、前記ワードラインと直交する方向に延長されるビットラインとを含むことを特徴とする強誘電体メモリ装置。
IPC (6件)：
H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 451
, H01L 27/10 651
, H01L 27/10 681 A
, H01L 29/78 371
