薄膜熱電対、その製造方法およびこれを用いた温度測定方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安倍逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-149629
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356225
出願日： 2003年05月27日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】微細領域の温度の測定ができる薄膜熱電対およびその製造方法を得る。また、簡便な方法により、薄膜熱電対の実用的確認を行う薄膜熱電対を用いた測定方法を提供する。【解決手段】異種素材製の一対の薄膜が、所定間隔離間した2つの位置同士でそれぞれ電気的に接続され、各接続位置間の電位差に基づいて接続位置間の温度差を測定する薄膜熱電対であって、上記一対の薄膜のうちの一方の薄膜12は絶縁層14bの一面に、残りの他方の薄膜11はこの絶縁層の他面にそれぞれ配設した薄膜熱電対である。この結果、微細領域の温度の測定ができる3次元の構造を持つ薄膜熱電対を得ることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

異種素材製の一対の薄膜が、所定間隔離間した2つの位置同士でそれぞれ電気的に接続され、各接続位置間の電位差に基づいて接続位置間の温度差を測定する薄膜熱電対であって、上記一対の薄膜のうちの一方の薄膜は絶縁層の一面に、残りの他方の薄膜はこの絶縁層の他面にそれぞれ配設した薄膜熱電対。

IPC (4件)：

H01L35/32 , G01K7/02 , H01L35/20 , H01L35/34

FI (5件)：

H01L35/32 A , G01K7/02 A , G01K7/02 Z , H01L35/20 , H01L35/34

Fターム (3件)：

2F056KA01 , 2F056KA03 , 2F056KA16

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体ウェハの処理温度測定方法及び温度測定手段を備える半導体ウェハ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-196266 出願人：株式会社日立製作所
薄膜熱電対
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-014368 出願人：凸版印刷株式会社
特表平6-501550

全件表示

前のページに戻る