不揮発性半導体記憶装置及びそのデータ消去制御方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊丹勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-182248
公開番号（公開出願番号）：特開2000-348492
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】データ消去後のベリファイ動作のための選択ブロック検索に要する時間を短縮し、もって全体のデータ消去に要する時間を短縮することを可能としたEEPROMを提供する。【解決手段】メモリセルアレイは、それぞれ複数個のブロックからなる左右セルアレイ1L,1Rに分けられている。データ消去は、コマンドレジスタ4に取り込まれる消去コマンドフラグと、アドレスレジスタ5に取り込まれるアドレスに基づいて、消去制御回路8によりシーケンス制御される。データ消去時は、左右セルアレイ1L,1Rの選択ブロックにつき一括消去される。データ消去後のベリファイ動作は、左右セルアレイ1L,1Rについて同時並行的に消去ブロックの検索を行って、消去されたブロックについて行われる。

請求項（抜粋）：

電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列され、複数個ずつのブロックを含む複数のセルアレイ領域に分けられたメモリセルアレイと、このメモリセルアレイの一乃至複数のブロックを選択して同時にデータ消去するデータ消去手段と、前記メモリセルアレイのブロック毎に設けられて、データ消去の際に選択されたブロックについて消去フラグを保持する消去フラグ保持手段と、消去されたブロックのメモリセルの消去状態を確認するための消去ベリファイを行い、消去が不十分のブロックのデータ消去を繰り返す消去ベリファイ手段と、消去ベリファイを前記複数のセルアレイ領域の消去されたブロックに対して同時に並行して行うために、前記消去フラグ保持手段に保持された消去フラグを前記複数のセルアレイについて同時に且つブロック毎に順次読み出してブロック検索を行う検索手段とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

FI (2件)：

G11C 17/00 612 B , G11C 17/00 612 F

Fターム (7件)：

5B025AA03 , 5B025AB01 , 5B025AC01 , 5B025AD01 , 5B025AD05 , 5B025AD08 , 5B025AE05

引用特許：

審査官引用 (5件)

フラッシュメモリおよびその消去方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-133961 出願人：日本電気株式会社
特開平4-228193
特開平4-082094

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