特許

J-GLOBAL ID：200903025068884800

電力変換装置及びその製造方法

発明者： 田島 豊
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (5件)： 杉村 憲司 ,  杉村 興作 ,  来間 清志 ,  藤谷 史朗 ,  澤田 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-006853
公開番号（公開出願番号）：特開2009-170645
出願日： 2008年01月16日
公開日（公表日）： 2009年07月30日
要約：

【課題】電力変換を行なう半導体素子を、大型化、コスト増加、熱抵抗増大化、応力集中を招かずに、効率良く冷却することができる電力変換装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】主面電極を有する半導体素子11と、半導体素子11を入り込ませる段差状受け部15aと共に裏面側端部に絶縁部材24を有し、この受け部15aに主面電極を位置させ半導体素子11を覆って配置され、絶縁性部材を介し半導体素子11に接合された第1電極15と、主面電極及び第1電極15を電気的に接続するワイヤボンディング線26に近接配置された伝熱領域19aを有し、主面電極及び第1電極15の上に熱伝導性材料を介し実装されたヒートスプレッダ19と、を有する第1半導体素子主面電極側構造体27と、この構造体27及び絶縁部材24の各々の裏面にはんだ付け実装した第1基板13と、第1基板13を絶縁物を介し実装した第1放熱器17とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

主面電極を有する半導体素子と、前記半導体素子を入り込ませる受け部と共に裏面側端部に絶縁物領域を有し、前記受け部に前記主面電極を位置させて前記半導体素子を覆って配置され、絶縁性部材を介して前記半導体素子に接合された上面電極と、前記主面電極及び前記上面電極を電気的に接続するワイヤボンディング線に近接配置された伝熱領域を有し、前記主面電極及び前記上面電極の上に熱伝導性材料を介して実装されたヒートスプレッダと、を有する半導体素子主面電極側構造体と、前記半導体素子主面電極側構造体及び前記絶縁物領域のそれぞれの裏面にはんだ付け実装した基板と、前記基板を絶縁物を介して実装した放熱器とを有する電力変換装置。

IPC (2件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (1件)：

H01L25/04 C

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-049909   出願人：三菱マテリアル株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-085504   出願人：株式会社デンソー
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-244226   出願人：株式会社豊田自動織機