特許
J-GLOBAL ID：200903025077237281

裏面照射型撮像素子及び半導体基板

発明者：
宇家 眞司

宇家 眞司 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-285194
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103554
出願日： 2006年10月19日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：
【課題】光電変換領域の空乏層を厚くした場合でも、異なる光電変換領域間での信号電荷の分離を確実に実現することが可能な裏面照射型撮像素子を提供する。【解決手段】p基板30の裏面側から光を照射し、前記光に応じてp基板30内で発生した電荷をp基板30の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子100であって、p基板30内に形成された前記電荷を蓄積するためのn型半導体層4と、p基板の裏面から内側に形成されたp型半導体層2とを備え、n型半導体層4とp型半導体層2との間に、不純物濃度が1.0×1014/cm3以下のn型又はp型半導体層、或いはi型半導体層を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の裏面側から光を照射し、前記光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子であって、 前記半導体基板内に形成された前記電荷を蓄積するための第一導電型の第一の半導体層と、 前記半導体基板の裏面から内側に形成された第一導電型の反対の第二導電型の第二の半導体層とを備え、 前記半導体基板内の前記第一の半導体層と前記第二の半導体層との間に、不純物濃度が1.0×1014/cm3以下の第三の半導体層を含む裏面照射型撮像素子。
IPC (2件)：
H01L 27/148 ,  H01L 31/10
FI (2件)：
H01L27/14 B ,  H01L31/10 A
Fターム (32件)：
4M118AA01 ,  4M118AA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118BA14 ,  4M118BA18 ,  4M118CA05 ,  4M118CA18 ,  4M118CB14 ,  4M118DA03 ,  4M118DA28 ,  4M118FA13 ,  4M118FA26 ,  4M118GA02 ,  4M118GC08 ,  4M118GC14 ,  4M118GC17 ,  4M118GD04 ,  5F049MA02 ,  5F049MB02 ,  5F049NA01 ,  5F049NA04 ,  5F049NB05 ,  5F049QA06 ,  5F049RA03 ,  5F049SE04 ,  5F049SS03 ,  5F049SS10 ,  5F049SZ03 ,  5F049SZ06 ,  5F049SZ20
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
  • 固体撮像素子及びその駆動方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-175753   出願人：ソニー株式会社
  • 特開昭63-177475
  • 特開昭63-094125
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