特許
J-GLOBAL ID:200903091715534828
固体撮像素子及びその駆動方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-175753
公開番号(公開出願番号):特開2005-353994
出願日: 2004年06月14日
公開日(公表日): 2005年12月22日
要約:
【課題】 光学的特性や電気的特性が良好であると共に、容易に画素セルの微細化を図ることができる固体撮像素子を提供する。【解決手段】 受光部が形成された半導体層1と、半導体層1の表面側に形成された配線層10,13とを有し、半導体層1の裏面側から光を入射させる構造を有し、受光部を構成する第1導電型の領域3から半導体層1の表面側に形成された画素形成回路へ信号電荷を選択的に読み出すための読み出しトランジスタ6が、半導体層1の内部に形成されている固体撮像素子を構成する。そして、例えば、半導体層1の内部に形成された第2導電型の領域15により読み出しトランジスタ6のゲートを構成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
光電変換が行われる受光部が形成された半導体層と、
前記半導体層の表面側に形成された配線層とを少なくとも有し、
前記半導体層の前記表面側とは反対の裏面側から光を入射させる構造を有し、
前記受光部を構成する第1導電型の領域から、前記半導体層の表面側に形成された画素形成回路へ信号電荷を選択的に読み出すための読み出しトランジスタが、前記半導体層の内部に形成されている
ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L27/14 A
, H04N5/335 E
, H04N5/335 Z
Fターム (26件):
4M118AA01
, 4M118AA02
, 4M118AA05
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118CA09
, 4M118CA10
, 4M118DB09
, 4M118DD12
, 4M118FA06
, 4M118FA27
, 4M118FA28
, 4M118FA34
, 4M118FA37
, 4M118FA42
, 4M118GA02
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 5C024CX41
, 5C024CX54
, 5C024CX61
, 5C024GY31
, 5C024HX01
, 5C024HX02
引用特許:
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
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