スパッタ装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北村欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-267367
公開番号（公開出願番号）：特開平9-111448
出願日： 1995年10月16日
公開日（公表日）： 1997年04月28日
要約：

【要約】【課題】静止或いは移動する大型の基板に膜厚と膜特性の分布の良好な膜を成膜できるスパッタ装置を提供すること【解決手段】真空の成膜室2内のカソード6に設けたターゲット7と対向した静止若しくは移動する基板1上にスパッタ成膜を行うスパッタ装置に於いて、該ターゲットと基板との間に格子状のアノード12を設置した。該アノードの開口率は80〜97%に設定される。【効果】プラズマを固定状態となし得られ、静止或いは移動する大型の基板に大型の開放形のターゲットにより膜厚と膜特性の分布の良好な膜を再現性良く成膜でき、該アノードがプラズマ中の電子をトラップするので基板上の異常放電を防止できて損傷のない成膜を行える

請求項（抜粋）：

真空の成膜室内のカソードに設けたターゲットと対向した静止若しくは移動する基板上にスパッタ成膜を行うスパッタ装置に於いて、該ターゲットと基板との間に格子状のアノードを設置したことを特徴とするスパッタ装置。

IPC (2件)：

C23C 14/34 , C23C 14/35

FI (3件)：

C23C 14/34 T , C23C 14/34 G , C23C 14/35 Z

引用特許：

審査官引用 (16件)

スパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-240909 出願人：セイコーエプソン株式会社
バイアススパツタリング法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-183572 出願人：新日本製鐵株式会社
薄膜電極および薄膜製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-256795 出願人：ミノルタカメラ株式会社

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