特許
J-GLOBAL ID:200903025206750306

プラズマ処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-254622
公開番号(公開出願番号):特開2003-197397
出願日: 2002年08月30日
公開日(公表日): 2003年07月11日
要約:
【要約】【課題】 高密度プラズマを得ることができる常圧プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 内側のホット電極30とそれを囲む外側のアース電極40との間の筒状プラズマ化空間1aに、処理ガスを供給するとともに電界を印加してグロー放電を起させる処理ガスをプラズマ化させて、ノズル孔52bから吹出す。プラズマ化空間1aの上側(基端側)には、処理ガス供給路21dに連なる環状空間21eと、この環状空間21eから斜めに延びる複数の旋回導孔25aを形成し、プラズマ化空間1aへの処理ガスを旋回流にする。
請求項(抜粋):
軸状に延びる内側電極と、この内側電極をそれと同軸をなして囲む筒状の外側電極と、これら電極の間に形成された筒状のプラズマ化空間に上記軸方向の基端側から処理ガスを供給するガス供給手段と、上記電極間に電界を印加することにより上記ガス供給手段からの処理ガスを上記空間においてプラズマ化させる電界印加手段と、上記プラズマ化空間の先端側に配され、上記プラズマ化後の処理ガスを被処理物へ向けて吹出すノズル部とを備え、上記ガス供給手段が、処理ガス源に接続されたガス供給路と、上記プラズマ化空間の基端側に配され、上記ガス供給路からの処理ガスを上記プラズマ化空間の周方向に旋回させながら上記ノズル部へ向かわせる旋回流形成機構とを有していることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5件):
H05H 1/26 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/455 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065
FI (5件):
H05H 1/26 ,  B01J 19/08 E ,  C23C 16/455 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/302 101 E
Fターム (47件):
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA37 ,  4G075BA05 ,  4G075BB10 ,  4G075BC06 ,  4G075BD08 ,  4G075CA16 ,  4G075DA02 ,  4G075EA06 ,  4G075EB01 ,  4G075EB43 ,  4G075EC01 ,  4G075EC21 ,  4G075FC11 ,  4G075FC15 ,  4K030AA02 ,  4K030AA05 ,  4K030AA11 ,  4K030BA44 ,  4K030BA45 ,  4K030BA46 ,  4K030EA05 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030JA09 ,  4K030KA17 ,  4K030KA26 ,  4K057DA11 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DE08 ,  4K057DE14 ,  4K057DG15 ,  4K057DG18 ,  4K057DM06 ,  4K057DM13 ,  5F004BA03 ,  5F004BB11 ,  5F004BC03 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA07 ,  5F004DA18 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27
引用特許:
審査官引用 (8件)
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