特許

J-GLOBAL ID：200903025212757894

半導体装置の製造方法

発明者： 永井 孝一
出願人/特許権者： 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-284167
公開番号（公開出願番号）：特開2009-111280
出願日： 2007年10月31日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：

【課題】還元性物質による強誘電体キャパシタの劣化を抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】シリコン基板1の上方に第1絶縁膜14を形成する工程と、第1絶縁膜14の上に、下部電極21a、強誘電体材料よりなるキャパシタ誘電体膜22a、及び上部電極23aをこの順に積層してなるキャパシタQを形成する工程と、キャパシタQを覆う酸化シリコンよりなる第2絶縁膜28を形成する工程と、第2絶縁膜28の上面を窒化する工程と、窒化された第2絶縁膜28の上に、酸化シリコンよりなる第3絶縁膜30を形成する工程と、第3絶縁膜30の上面を窒化する工程と、第3絶縁膜30の上面を窒化した後、該第3絶縁膜30上に金属膜を形成する工程と、金属膜をパターニングして配線50を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

半導体基板の上方に第1絶縁膜を形成する工程と、 前記第1絶縁膜の上に、下部電極、強誘電体材料よりなるキャパシタ誘電体膜、及び上部電極をこの順に積層してなるキャパシタを形成する工程と、 前記キャパシタを覆う酸化シリコンよりなる第2絶縁膜を形成する工程と、 前記第2絶縁膜の上面を窒化する工程と、 前記窒化された第2絶縁膜の上に、酸化シリコンよりなる第3絶縁膜を形成する工程と、 前記第3絶縁膜の上面を窒化する工程と、 前記第3絶縁膜の上面を窒化した後、該第3絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、 前記金属膜をパターニングして配線を形成する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (2件)：

H01L27/10 444B ,  H01L21/90 J

Fターム (79件)：

5F033HH04 ,  5F033HH05 ,  5F033HH07 ,  5F033HH09 ,  5F033HH15 ,  5F033HH25 ,  5F033HH33 ,  5F033HH35 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK07 ,  5F033KK15 ,  5F033KK18 ,  5F033KK25 ,  5F033KK33 ,  5F033KK35 ,  5F033MM07 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN40 ,  5F033PP02 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS04 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033TT07 ,  5F033TT08 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033XX00 ,  5F033XX20 ,  5F033XX28 ,  5F083FR02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-355683   出願人：富士通株式会社
• 半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-205664   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-216869   出願人：松下電器産業株式会社