特許
J-GLOBAL ID：200903068098129510

半導体装置の製造方法

発明者：
八重樫 鉄男

八重樫 鉄男 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-355683
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165350
出願日： 2005年12月09日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：
【課題】層間絶縁膜上に平坦なバリア膜を形成する場合であっても、導体プラグを良好に形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10上及び強誘電体キャパシタ42上に第1の絶縁膜48を形成する工程と、第1の配線56a〜56cを形成する工程と、第2の絶縁膜60を形成する工程と、第2の絶縁膜の表面を平坦化する工程と、熱処理炉を用いて熱処理を行うことにより第2の絶縁膜中から水分を除去する工程と、N2Oガス又はN2ガスを用いて生成されたプラズマ雰囲気中にて熱処理を行うことにより、第2の絶縁膜中から水分を除去するとともに第2の絶縁膜の表面を窒化する工程と、第2の絶縁膜上にバリア膜62を形成する工程と、バリア膜及び第2の絶縁膜にコンタクトホール68を形成する工程と、コンタクトホール内に導体プラグ70を埋め込む工程とを有している。【選択図】 図12
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、下部電極と、前記下部電極上に形成された強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成された上部電極とを有する強誘電体キャパシタを形成する工程と、 前記半導体基板上及び前記強誘電体キャパシタ上に、第1の絶縁膜を形成する工程と、 前記第1の絶縁膜上に第1の配線を形成する工程と、 前記第1の絶縁膜上及び前記第1の配線上に、第2の絶縁膜を形成する工程と、 前記第2の絶縁膜の表面を平坦化する工程と、 熱処理炉を用いて熱処理を行うことにより、前記第2の絶縁膜中から水分を除去する工程と、 N2Oガス又はN2ガスを用いて生成されたプラズマ雰囲気中にて熱処理を行うことにより、前記第2の絶縁膜中から水分を除去するとともに、前記第2の絶縁膜の表面を窒化する工程と、 前記第2の絶縁膜上に、水素又は水分の拡散を防止する平坦な第1のバリア膜を形成する工程と、 前記第1のバリア膜及び前記第2の絶縁膜に、前記第1の配線に達する第1のコンタクトホールを形成する工程と、 前記第1のコンタクトホール内に第1の導体プラグを埋め込む工程と を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (1件)：
H01L27/10 444B
Fターム (25件)：
5F083FR02 ,  5F083GA25 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA31 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083NA08 ,  5F083PR21 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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