プラズマ処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-321640
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124199
出願日： 2001年10月19日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】イオン性が支配的なエッチングプロセスに対してトレンチングの発生を抑制することが可能なプラズマ処理方法を提供すること。【解決手段】被エッチング膜を一定量エッチングした後、アッシング工程などを経ることで、被エッチング膜の上に形成されたマスクの幅を調整し、更に、再度エッチングを実施し、パターン近傍の残膜を集中的に除去することによってトレンチングを防ぐことが可能となる。

請求項（抜粋）：

真空容器内にガスを供給しつつ排気し、所定の圧力に制御しながら、基板が載置される電極に高周波電力を供給することで、プラズマを発生させ、前記基板の処理を行うプラズマ処理方法であって、前記基板には被エッチング膜が形成されており、この被エッチング膜の上に生成されたマスクの幅を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , B81C 1/00

FI (2件)：

B81C 1/00 , H01L 21/302 J

Fターム (11件)：

5F004AA16 , 5F004BA04 , 5F004BA20 , 5F004BB18 , 5F004DB00 , 5F004DB01 , 5F004DB03 , 5F004DB08 , 5F004DB19 , 5F004EA40 , 5F004EB08

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜の加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-238907 出願人：ソニー株式会社
容量素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-078658 出願人：株式会社リコー
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-347861 出願人：株式会社東芝

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