サイドウォール除去液

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢口平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-150032
公開番号（公開出願番号）：特開2000-338686
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体製造工程でのドライエッチングの際に発生するサイドウォールを低温(50°C以下)で短時間(60分以内)で除去でき、しかもその際に配線材料を浸食することのないサイドウォール除去液を提供する。【解決手段】硝酸と硫酸および/またはリン酸との水溶液であることを特徴とするサイドウォール除去液を用いる。硝酸濃度は0.01重量%〜50重量%、硫酸および/またはリン酸濃度は0.001重量%〜30重量%であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

硝酸と硫酸および/またはリン酸との水溶液であることを特徴とするサイドウォール除去液。

IPC (4件)：

G03F 7/42 , H01L 21/027 , H01L 21/3065 , H01L 21/308

FI (4件)：

G03F 7/42 , H01L 21/308 Z , H01L 21/30 572 A , H01L 21/302 N

Fターム (23件)：

2H096AA25 , 2H096AA26 , 2H096HA23 , 2H096HA30 , 2H096LA30 , 5F004AA08 , 5F004AA09 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA13 , 5F004DA26 , 5F004DB09 , 5F004DB12 , 5F004DB26 , 5F004EA10 , 5F043BB30 , 5F043CC16 , 5F043DD15 , 5F043DD30 , 5F043GG02 , 5F043GG10 , 5F046MA11 , 5F046MA19

引用特許：

審査官引用 (5件)

気泡発生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-218563 出願人：京セラ株式会社
半導体ウェハのウェット処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-022299 出願人：日本電気株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-259648 出願人：富士通株式会社

全件表示

前のページに戻る