特許

J-GLOBAL ID：200903025264815752

パターン形成方法及びパターン形成に用いるマスク

発明者： 小谷 敏也 ,  田中 聡 ,  井上 壮一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-199647
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017390
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 孤立したパターンにおけるエッチングプロセスに起因する寸法変化を補正する。【解決手段】 本発明は、エッチング変換差の許容値を決定し、この決定されたエッチング変換差におけるパターン間の最大距離Xmaxを求める工程と、ゲートパターン間の距離XG-Gを最大距離Xmax以下となるようにゲートパターンを配置することによって、又はゲートパターンとダミーパターンとの間の距離XG-Dを最大距離Xmax以下となるようにゲートパターン及びダミーパターンを配置することによって、設計レイアウトを作成する工程と、この設計レイアウトに基づいて、マスクの設計データの変換を行う工程と、この変換された設計データを用いて、リソグラフィ及びエッチングによりゲートパターンの形成を行う工程とを含む。

請求項（抜粋）：

エッチング変換差の許容値を決定する工程と、決定された前記エッチング変換差を生じさせるパターン間の最大距離Xmaxを求める工程と、主パターン間の距離XG-Gを前記最大距離Xmax以下となるように前記主パターンを配置することによって、又は前記主パターンとダミーパターンとの間の距離XG-Dを前記最大距離Xmax以下となるように前記主パターン及び前記ダミーパターンを配置することによって、設計レイアウトを作成する工程と、前記設計レイアウトに基づいて、設計データの変換を行う工程と、変換された前記設計データを用いて、前記主パターン及び前記ダミーパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/3065

FI (6件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 D ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 514 C ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/302 J

Fターム (8件)：

2H095BB01 ,  2H095BB02 ,  5F004AA04 ,  5F004DB02 ,  5F004DB07 ,  5F004EA21 ,  5F046AA26 ,  5F046CB17

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 露光用マスクのパターン補正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-273211   出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
• 荷電ビーム描画方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-217554   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-180041
  
• マスクパターン補正方法とその補正システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-338762   出願人：株式会社東芝