特許

J-GLOBAL ID：200903025267589931

半導体装置およびその製造方法

発明者： 塩沢 勝臣 ,  大石 敏之 ,  吹田 宗義 ,  南條 拓真 ,  阿部 雄次
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-070742
公開番号（公開出願番号）：特開2005-260052
出願日： 2004年03月12日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】 オーミック電極のコンタクト抵抗を低くすることができ、かつ耐圧を向上することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の窒化物半導体装置10は、ショットキー電極5とオーミック電極4a,4bとを有する高電子移動度トランジスタを有する窒化物半導体装置であって、主表面を有するAlGaN層3と、主表面に形成された高濃度不純物領域6a,6bと、低濃度不純物領域7とを備えている。高濃度不純物領域6a,6bおよび低濃度不純物領域7とは離れたAlGaN層3の主表面上にショットキー電極5が形成されている。オーミック電極4bが高濃度不純物領域6bとオーミック接合するようにAlGaN層3の主表面に形成されている。低濃度不純物領域7は高濃度不純物領域6bとショットキー電極5との間に形成されており、かつ低濃度不純物領域7の不純物濃度は高濃度不純物領域6bの不純物濃度よりも低い。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極とソースおよびドレイン電極とを有する高電子移動度トランジスタを有する半導体装置であって、 主表面を有する窒化物半導体層と、 前記主表面に形成された第1および第2の不純物領域とを備え、 前記第1および前記第2の不純物領域とは離れた前記主表面上に前記ゲート電極が形成されており、 前記ソースおよびドレイン電極の一方が前記第1の不純物領域とオーミック接合するように前記主表面に形成されており、 前記第2の不純物領域は前記第1の不純物領域と前記ゲート電極との間に形成されており、かつ前記第2の不純物領域の不純物濃度は前記第1の不純物領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする、半導体装置。

IPC (7件)：

H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

FI (4件)：

H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 J ,  H01L29/48 D

Fターム (34件)：

4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F102FA01 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM09 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GR09 ,  5F102GR11 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC08 ,  5F102HC10

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 窒化物半導体材料を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-055304   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• 電界効果トランジスタの製造方法及びその集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-018718   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開平3-191532
  
• 特開平3-163833
  
• 特開平4-254333
  
• 電界効果トランジスタとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-317940   出願人：富士通カンタムデバイス株式会社