特許
J-GLOBAL ID：200903077076765101
窒化物半導体材料を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-055304
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257999
出願日： 2002年03月01日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】窒化ガリウム系へテロ接合電界効果型トランジスタにおいて、バリアーの構造を改善し、ゲート電流を低減して、移動度を高め、トランジスタ性能の向上を図った構造のヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体を用いた電界効果型トランジスタの構造は、窒化ガリウム層とバリアーのヘテロ接合近くに形成されるチャンネルに接するバリアーの部分を、厚さ2nm以下の窒化アルミニウム層と厚さ2nm以下の窒化ガリウム層の多層構造とする。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体を用いた電界効果型トランジスタであって、窒化ガリウム層とバリアーのヘテロ接合近くに形成されるチャンネルに接するバリアーの部分が厚さ2nm以下の窒化アルミニウム層と厚さ2nm以下の窒化ガリウム層の多層構造であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ10
, 5F102GL04
, 5F102GM08
, 5F102GN04
, 5F102GQ01
, 5F102GR01
, 5F102GR04
, 5F102GR07
, 5F102GS01
, 5F102GT03
, 5F102HC01
, 5F102HC04
, 5F102HC07
, 5F102HC16
