特許

J-GLOBAL ID：200903025270771848

成膜装置及び成膜方法

発明者： 牛川 治憲 ,  八木 宏憲 ,  北村 昌幸 ,  佐久間 健 ,  霜垣 幸浩 ,  小宮山 宏 ,  秋山 泰伸
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  霜垣 幸浩 ,  小宮山 宏 ,  秋山 泰伸
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-091395
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286199
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 凹部を備えた基板例えばウエハWにシリコンを成膜する場合に、凹部内へシリコンを良好に埋め込むこと。【解決手段】 チャンバ11内に、ウエハWの載置台21と、この載置台21と対向するように、ウエハWの上に反応空間を区画する面状部を備えたガス供給部31を設け、ガス供給部31のガス吹き出し領域の大きさをウエハWの大きさとほぼ同じ大きさにすると共に、ウエハWとガス供給部31との間の距離Lを5mm以上18mm以下に設定する。このガス供給部31からシランを含む成膜ガス例えばSiH4 ガスをウエハW表面に供給してシリコン膜を形成すると、300オングストロ-ム/分以上の成膜速度であっても、ウエハW表面に形成された凹部にシリコン膜を良好に埋め込みながら成膜を行うことができる。

請求項（抜粋）：

基板の上に反応空間を区画する面状部と、前記反応空間にガスを供給するガス供給部とを備えた処理室内にて、前記ガス供給部からシランを含む成膜ガスを基板表面に供給して、表面に凹部が形成された基板に300オングストロ-ム/分以上の成膜速度でシリコン膜を形成するための成膜装置において、基板と面状部の前記基板表面と対向する面との間の距離が5mm以上18mm以下であることを特徴とする成膜装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/44

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/44 B

Fターム (31件)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030CA04 ,  4K030CA11 ,  4K030CA12 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA03 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA12 ,  4K030KA23 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC15 ,  5F045AC17 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045BB19 ,  5F045DP03 ,  5F045EE13 ,  5F045EF01 ,  5F045EK13

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-235424   出願人：株式会社東芝
• 薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタおよび液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-076403   出願人：株式会社東芝
• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-248434   出願人：株式会社東芝