特許

J-GLOBAL ID：200903025279558586

不揮発性メモリシステムにおけるデータの完全性を管理する方法および装置

発明者： ロバート シー. チャン ,  バウマン クァワミ ,  ファーシッド サベット-シャーギ
出願人/特許権者： サンディスク コーポレイション
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-368139
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152300
出願日： 2003年10月28日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】著しいオーバーヘッドまたは性能ペナルティをもたらすことなく、ECCアルゴリズムを用いて訂正され得るビットの数を増加させる方法および装置を提供すること。【解決手段】本発明による方法は、メモリシステムの不揮発性メモリ内のページと関連するデータを符合化する方法であって、該ページは、データ領域およびオーバーヘッド領域を有し、該方法は、該ページの少なくとも一部分を少なくとも2つの該データのセグメントに分割する工程であって、該少なくとも2つの該データのセグメントは、第1のセグメントおよび第2のセグメントを含む、工程と、該第1のセグメント上でエラー訂正コード(ECC)計算を実行して該第1のセグメントを符号化する工程と、該第2のセグメント上でECC計算を実行して、該第2のセグメントを符合化する工程であって、該第2のセグメントは、該第1のセグメントとは実質的に別個に符号化する、工程とを包含する。【選択図】図3b

請求項（抜粋）：

メモリシステムの不揮発性メモリ内のページと関連するデータを符合化する方法であって、該ページは、データ領域およびオーバーヘッド領域を有し、該方法は、 該ページの少なくとも一部分を少なくとも2つの該データのセグメントに分割する工程であって、該少なくとも2つの該データのセグメントは、第1のセグメントおよび第2のセグメントを含む、工程と、 該第1のセグメント上でエラー訂正コード(ECC)計算を実行して、該第1のセグメントを符号化する工程と、 該第2のセグメント上でECC計算を実行して、該第2のセグメントを符合化する工程であって、該第2のセグメントは、該第1のセグメントとは実質的に別個に符号化する、工程と を包含する、方法。

IPC (1件)：

G06F12/16

FI (1件)：

G06F12/16 320F

Fターム (4件)：

5B018GA02 ,  5B018HA14 ,  5B018HA35 ,  5B018NA06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体ディスク装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-024437   出願人：沖電気工業株式会社
• メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-081269   出願人：ソニー株式会社
• オンチップエラ-訂正回路を備えた半導体メモリ装置及びエラ-訂正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-224644   出願人：三星電子株式会社
• エラー訂正可能なフラッシュメモリシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-351435   出願人：株式会社東芝