窒化物ベースのダイオード内への分極ドーピング

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：谷義一 , 阿部和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-182592
公開番号（公開出願番号）：特開2009-071277
出願日： 2008年07月14日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：

【課題】LEDの直列抵抗を低減すること。【解決手段】エピタキシャル構造中に更なるドーパント不純物を導入することなく、デバイス内の横方向電流拡がりを改良する3次元分極傾斜(3DPG)構造を備えた発光デバイスを提供する。3DPG構造は、3DPG内で数回繰り返しが出来る、繰り返し可能な積層単位を含むことが出来る。積層単位は、組成傾斜層とシリコン(Si)デルタ・ドープ層とを含む。傾斜層は、或る距離にわたって第1の材料から第2の材料へ組成傾斜していて、3DPG構造中へ分極誘起バルク電荷を導入するものである。Siデルタ・ドープ層は、傾斜層と隣接層との界面における電子ガスの空乏を補償する。3DPGは、電流が活性領域の全体にわたって注入されるように横方向電流拡がりを容易にし、活性領域における放射再結合の事象の数を増加させ、デバイスの外部量子効率と電力効率を改善する。【選択図】図1a

請求項（抜粋）：

n型半導体層と、 p型半導体層と、前記n型層と前記p型層との間に挟まれた活性領域と、前記活性領域とは反対側の前記n型層の面上に配置された3次元分極傾斜(3DPG)構造とを含むことを特徴とする発光デバイス。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (9件)：

5F041AA05 , 5F041AA24 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA48 , 5F041CA53 , 5F041CA57 , 5F041CA58 , 5F041CB06

引用特許：

出願人引用 (5件)

米国特許出願公開第2006/0231860 Al号明細書
窒化ガリウムインジウムの分離封じ込めヘテロ構造発光デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-321683 出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
窒化物半導体積層体及びその半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-154581 出願人：日本電信電話株式会社

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審査官引用 (4件)

窒化ガリウムインジウムの分離封じ込めヘテロ構造発光デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-321683 出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
窒化物半導体積層体及びその半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-154581 出願人：日本電信電話株式会社
分極誘導電荷を低減させた高効率光エミッタ
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-542396 出願人：クリー・ライティング・カンパニー

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引用文献：

出願人引用 (2件)

New UV Light Emitter Based on AlGaN Heterostructures with Graded Electron and Hole Injectors
Polarization-Induced 3-Dimensional Electron Slabs in Graded AlGaN Layers

審査官引用 (2件)

New UV Light Emitter Based on AlGaN Heterostructures with Graded Electron and Hole Injectors
Polarization-Induced 3-Dimensional Electron Slabs in Graded AlGaN Layers

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