特許
J-GLOBAL ID：200903025356478299

半導体装置の製造方法、不良解析方法および不良解析システム

発明者：
池田 修二

池田 修二 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-044353
公開番号（公開出願番号）：特開2005-236094
出願日： 2004年02月20日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】 複数の処理工程からなる製造ラインにおいて、検査ウエハの数が少ない場合であっても、不良発生原因となっている処理工程等を早期に発見することができる技術を提供する。【解決手段】 ウエハ処理工程において各処理工程後に異物外観検査装置11により外観検査を行い、その結果として異物マップ(異物欠陥座標、処理工程、処理装置、異物欠陥分類などの情報を含む)をデータベース13に蓄積し、その異物マップから欠陥の特徴を抽出し、また、ウエハ処理工程後にテスタ12によりプローブ検査を行い、その結果としてプローブ検査マップをデータベース14に蓄積し、そのプローブ検査マップから不良面内分布を抽出し、コンピュータ15により抽出された欠陥の特徴と不良面内分布とを比較し、一致または類似するパターン(特徴)を抽出し、不良発生原因となっている処理工程または処理装置を特定する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ウエハ処理工程における各処理工程後の外観検査の結果として欠陥マップを蓄積する第1工程と、 前記欠陥マップから欠陥の特徴を抽出する第2工程と、 前記ウエハ処理工程後のプローブ検査におけるプローブ検査マップを蓄積する第3工程と、 前記プローブ検査マップから不良の特徴を抽出する第4工程と、 前記第2工程で抽出された前記欠陥の特徴と前記第4工程で抽出された前記不良の特徴とを比較し、一致または類似する特徴を抽出し、不良発生原因となっている処理工程または処理装置を特定する第5工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L21/66
FI (2件)：
H01L21/66 Z ,  H01L21/66 A
Fターム (9件)：
4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA01 ,  4M106CA01 ,  4M106CA39 ,  4M106CA41 ,  4M106DA15 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ38
引用特許：
出願人引用 (3件)

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