特許
J-GLOBAL ID:200903025423155726

無電解めっき方法および配線回路基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡本 寛之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-274980
公開番号(公開出願番号):特開2001-102725
出願日: 1999年09月28日
公開日(公表日): 2001年04月13日
要約:
【要約】【課題】 金属層の厚みを均一に形成することができる無電解めっき方法、および、その無電解めっき方法により電極が形成されている導体回路を有する配線回路基板を提供すること。【解決手段】 ベース層2、導体層4およびカバー層5により構成される配線回路基板1の、カバー層5のオープニング6内における導体層4の表面に、まず、紫外線を照射し、次いで、その紫外線が照射された表面に、無電解めっきによって下地層7aを形成するようにする。
請求項(抜粋):
紫外線が照射された金属箔の表面に、無電解めっきにより金属層を形成することを特徴とする、無電解めっき方法。
Fターム (8件):
5E343AA18 ,  5E343AA33 ,  5E343BB67 ,  5E343CC02 ,  5E343CC03 ,  5E343DD33 ,  5E343EE42 ,  5E343GG06
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 薄膜基板の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-046907   出願人:富士通株式会社
  • 無電解めっき方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-092518   出願人:日立化成工業株式会社
  • 半導体パッケージの製造法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-145833   出願人:日立化成工業株式会社
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