特許
J-GLOBAL ID：200903025423355911

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
門島 勝

門島 勝 について

, 
生田目 俊秀

生田目 俊秀 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-193171
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019351
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：
【課題】相対的に高いON電流と、相対的に低いしきい値電圧とを有するMISFETを形成する。【解決手段】ゲート溝19の内壁に沿って高誘電率膜20を形成し、高誘電率膜20上に相対的に低い温度により酸化する金属膜を積層し、金属膜に不純物をイオン注入した後、相対的に低い温度で金属膜を酸化させて酸化金属膜を形成すると同時に、不純物を高誘電率膜20と酸化金属膜との界面に偏析させる。次いで、酸化金属膜を実質的に全て除去した後、改めて相対的に抵抗の低い金属膜をゲート溝19の内部に埋め込むことにより、金属ゲート24を形成する。【選択図】図17
請求項（抜粋）：
以下の工程を含む半導体装置の製造方法: (a)第1導電型を有する半導体基板上に第1保護膜を形成する工程; (b)前記第1保護膜上に第1膜からなるダミーゲートを形成する工程; (c)前記ダミーゲートの両側の前記半導体基板に第2導電型を有するソース、ドレインを形成する工程; (d)前記ダミーゲートを覆って前記半導体基板上に第2膜を形成した後、前記ダミーゲートの上面が露出するまで、前記第2膜を除去する工程; (e)前記ダミーゲートおよび前記ダミーゲート下の前記第1保護膜を除去して、ゲート溝を形成する工程; (f)前記ゲート溝の内壁に沿って前記第2膜上にゲート絶縁膜を形成する工程; (g)前記ゲート溝の内部を埋め込んで、前記ゲート絶縁膜上に第1材料膜を形成する工程; (h)前記第1材料膜に不純物をイオン注入する工程; (i)前記第1材料膜を相対的に低い温度で酸化処理する工程; (j)酸化処理された前記第1材料膜を除去する工程; (k)前記ゲート溝の内部に、金属膜からなるゲートを形成する工程。
IPC (6件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/823 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49
FI (4件)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301R ,  H01L27/08 321D ,  H01L29/58 G
Fターム (97件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB30 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104DD75 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA24 ,  5F048DA25 ,  5F048DA26 ,  5F048DA30 ,  5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140AA02 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD06 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE13 ,  5F140BE14 ,  5F140BE15 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF34 ,  5F140BF60 ,  5F140BG03 ,  5F140BG04 ,  5F140BG05 ,  5F140BG09 ,  5F140BG11 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG36 ,  5F140BG40 ,  5F140BG45 ,  5F140BG46 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CC15 ,  5F140CE07 ,  5F140CF05
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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