特許

J-GLOBAL ID：200903025426436726

スパッタリング装置および方法

発明者： 山本 昌裕 ,  中嶋 誠二 ,  山西 斉
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 板垣 孝夫 ,  森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-387309
公開番号（公開出願番号）：特開2005-146369
出願日： 2003年11月18日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】 スパッタリングにおいて成膜レートを低下させることなく、ターゲット外周端部の侵食を促進しターゲット材料利用効率を向上させること。【解決手段】 ターゲット2Aの外周端の厚みを中央部よりも薄くして、ターゲット裏面に設けた磁場発生手段4の磁極を、前記ターゲットのうち成膜材料からなる部分の外周端に設けた厚みの薄い部分の裏面に配置することにより、効果的に電子を閉じ込める一方、プラズマから引き出されたArイオンをターゲットの厚みの厚い部分へ向かうように曲げることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

容器内にターゲットを設置し、前記容器内部にプラズマを発生させて薄膜を形成するスパッタリング装置において、 前記ターゲットの外周部の厚みを前記ターゲットの中央部の厚みよりも薄くした スパッタリング装置。

IPC (2件)：

C23C14/34 ,  C23C14/35

FI (2件)：

C23C14/34 B ,  C23C14/35 B

Fターム (5件)：

4K029CA05 ,  4K029DC12 ,  4K029DC40 ,  4K029DC41 ,  4K029DC46

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-014996   出願人：新明和工業株式会社
• スパッタリング方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-322997   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (4件)

• 特開昭55-146925
  
• 特公昭63-028988
  
• スパッタ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-325705   出願人：麻蒔立男
• 特開平4-032566