特許
J-GLOBAL ID：200903025469002541

電気光学装置

発明者：
村出 正夫

村出 正夫 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-007916
公開番号（公開出願番号）：特開2001-330857
出願日： 2001年01月16日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：
【要約】【課題】 画素スイッチング用のTFT上方に入射光に対する遮光膜を設けると共に下方に戻り光に対する遮光膜を設けた形式の電気光学装置において、画素開口率を高めると同時に蓄積容量を増大させる。【解決手段】 電気光学装置は、基板上にTFT(30)、データ線(6a)、走査線(3a)、及び画素電極(9a)を備えており、TFTを構成する半導体層(1a)は中継膜(80a)を中継して画素電極と接続されている。データ線と中継膜の層間に設けられた遮光性の導電膜(90a)と、中継膜と半導体層の層間に設けられた走査線と同一膜からなる容量電極(3b)とを電気的に接続して定電位にすることにより、各層間で蓄積容量を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に走査線と、前記走査線に交差するデータ線と、前記走査線と前記データ線に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのドレイン領域に接続された画素電極を有する電気光学装置であって、前記走査線の上方でかつ前記データ線の下方に第1蓄積容量を積層したことを特徴とする電気光学装置。
IPC (5件)：
G02F 1/1368 ,  G02F 1/1335 500 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
G02F 1/1335 500 ,  G09F 9/30 338 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 D
Fターム (86件)：
2H091FA24Y ,  2H091FB08 ,  2H091FC02 ,  2H091FC10 ,  2H091FC26 ,  2H091FD04 ,  2H091GA13 ,  2H091LA03 ,  2H091LA12 ,  2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB51 ,  2H092JB57 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA07 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA27 ,  2H092MA28 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA07 ,  2H092NA24 ,  2H092NA27 ,  2H092PA09 ,  2H092QA07 ,  5C094AA10 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094FB19 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD21 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL05 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN26 ,  5F110NN42 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN48 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (9件)
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