特許
J-GLOBAL ID：200903085183451937

半導体装置の作製方法

発明者：
平形 吉晴

平形 吉晴 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-090245
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270707
出願日： 1997年03月24日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 高精細な表示性能を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。【解決手段】 基板101上に形成されたTFT102、103を覆う層間絶縁膜104をCMPに代表される機械研磨によって平坦化する。その上に画素電極106、107を形成し、さらに画素電極を覆う絶縁膜108を形成する。そして、絶縁膜108を再度の機械研磨によって平坦化し、画素電極の表面と絶縁物112、113の表面とが同一平面をなす様にする。これにより、画素電極面に段差がなくなり、液晶材料の配向不良や光の乱反射等によるコントラストの低下等を防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に形成された絶縁膜を平坦化する工程と、前記絶縁膜上に複数の電極を形成する工程と、前記複数の電極を覆う絶縁層を形成する工程と、前記複数の電極の表面および前記絶縁層の表面を両表面が同一平面をなす様に平坦化し、前記複数の電極の境界部を前記絶縁層で埋め込む工程と、を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500
FI (5件)：
H01L 29/78 627 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 619 B
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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