特許
J-GLOBAL ID：200903023330246230

アクティブマトリクス型液晶表示装置

発明者：
大谷 久

大谷 久 について

, 
尾形 靖

尾形 靖 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-095069
公開番号（公開出願番号）：特開平10-274789
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：
【要約】【課題】 トップゲイト型もしくはボトムゲイト型の薄膜トランジスタトランジスタ(TFT)を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、画素の補助容量の形成方法に関する新規な構造を提供する。【解決手段】 ソースライン18と、それと同一層内の金属配線19を覆って、窒化珪素の如き誘電率の高い第1の絶縁性薄膜20を形成し、さらにその上に平坦性に優れた第2の絶縁膜21を形成する。そして、第2の絶縁膜21をエッチングして、開孔部22を設け、第1の絶縁膜20を選択的に露出させる。この上に遮光膜として機能する導電性被膜23を形成し、これと金属配線19の間に絶縁膜20を誘電体とする容量を形成し、これを画素の補助容量とする。また、補助容量は液晶分子の配向乱れ(ディスクリネーション)の影響の大きな部分に選択的に設けることにより、実質的な開口率を向上できる。
請求項（抜粋）：
画素電極の接続されたソース領域が接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのドレインに接続されたソースラインと同一層上に形成されたドレイン電極と、を有し、前記ドレイン電極は、前記薄膜トランジスタを構成する活性層の50%以上の面積を覆ったパターンを有し、前記ドレイン電極を利用して補助容量が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置
IPC (4件)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 616 S
引用特許：
出願人引用 (4件)
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