特許
J-GLOBAL ID：200903025496704965
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-334304
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172238
出願日： 2002年11月18日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【課題】多数の微細な電極が狭ピッチサイズで配列する半導体素子と回路配線基板とを、充分な接合信頼性を維持し、はんだバンプによりフリップチップ接合する半導体装置の製造方法。【解決手段】本発明の一実施例によれば、主表面に共に電極を有する半導体素子と回路配線基板を、はんだバンプによりフリップチップ接合する際に、少なくともいずれか一方の主表面の電極上に開口部を有するレジスト膜を形成し、開口部内にレジストの膜厚以下の高さの金属バンプを形成し、しかる後、レジスト膜を除去し、金属バンプを他方の主表面の電極に整合当接し、両主表面間の間隙に熱硬化性接着剤を充填し、加熱により、熱硬化性接着剤を硬化させると共に、金属バンプを溶融し両主表面の電極間を接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
主表面に共に電極を有する半導体素子と回路配線基板の、少なくともいずれか一方の主表面の該電極上に開口部を有する耐熱性膜を形成する工程と、該開口部内に該耐熱性膜の膜厚以下の高さの金属バンプを形成する工程と、しかる後、該耐熱性膜を除去する工程と、該金属バンプを他方の主表面の該電極に整合当接する工程と、両主表面間の間隙に熱硬化性接着剤を充填する工程と、加熱により、該熱硬化性接着剤を硬化させると共に、該金属バンプによって両主表面の該電極間を接続する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/60 311S
, H01L21/92 604S
5F044KK02
, 5F044LL11
, 5F044QQ02
