排気ガスの処理方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-110240
公開番号（公開出願番号）：特開2000-303177
出願日： 1999年04月19日
公開日（公表日）： 2000年10月31日
要約：

【要約】【課題】プラズマCVD装置等の処理装置において、未反応ガス及び副生成物の微粉体の排気手段への付着、堆積、及び、プラズマCVD室内への逆流を防止する。【解決手段】プラズマCVD装置において、排気ダクト4内にフィラメント6を設置し、電流密度5〜500A/mm2の電力を供給して、プラズマCVD室3から排気された未反応ガス及び副生成物に化学反応を起こさせて捕集する。

請求項（抜粋）：

基体または膜を処理するための処理室と該処理室を排気するための排気手段とを有する処理装置における排気ガスの排気処理方法であって、上記排気ガスを上記処理室出口に設置した電流密度が5〜500A/mm2に制御された発熱体に接触させることによって、該排気ガス中の未反応性ガス及び副生成物の少なくとも一方に化学反応を起こさせることを特徴とする排気ガスの処理方法。

IPC (5件)：

C23C 16/44 , B01D 53/34 ZAB , B01D 53/46 , C23C 14/58 , H01L 21/205

FI (5件)：

C23C 16/44 E , C23C 14/58 Z , H01L 21/205 , B01D 53/34 ZAB , B01D 53/34 120 A

Fターム (36件)：

4D002AA18 , 4D002AA22 , 4D002AA26 , 4D002AC10 , 4D002BA05 , 4D002BA12 , 4D002CA20 , 4D002GA01 , 4D002GA02 , 4D002GA03 , 4D002GB04 , 4D002GB11 , 4D002GB20 , 4D002HA03 , 4D002HA06 , 4K029DA02 , 4K029GA01 , 4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA30 , 4K030BB05 , 4K030CA06 , 4K030CA12 , 4K030EA12 , 4K030FA01 , 4K030JA16 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AD06 , 5F045BB08 , 5F045BB15 , 5F045EG01 , 5F045EG02 , 5F045EG05 , 5F045EG07

引用特許：

審査官引用 (5件)

トラップ装置及びこれを用いた未反応処理ガス排気機構
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-132833 出願人：東京エレクトロン株式会社, テル・エンジニアリング株式会社
薄膜半導体の製造装置及び製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-083011 出願人：キヤノン株式会社
イオン源のフィラメント電流の制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-032239 出願人：日新電機株式会社

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