レジスト被覆膜、被覆膜材料およびその形成方法とそれを用いたパターン形成方法および半導体装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-294851
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045246
出願日： 1992年11月04日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】化学増幅型レジスト膜を用いた微細パターン形成において、レジスト表面での酸濃度の低下を抑制して、良好な形状の微細パターンを安定して形成する。【構成】半導体基板1上の化学増幅型レジスト膜2の上層にスルホン酸基あるいはカルボン酸基を有する化合物を含有したレジスト被覆膜9を設け、その後露光を行う。

請求項（抜粋）：