特許

J-GLOBAL ID：200903025696305658

焼結多結晶窒化ガリウム及びその製造方法

発明者： デヴリン,マーク・ピー ,  ペンダー,デビッド・シー ,  バガラリー,スレッシュ・エス ,  パーク,ドン-シル
出願人/特許権者： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
代理人 (4件)： 松本 研一 ,  小倉 博 ,  伊藤 信和 ,  黒川 俊久
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-543080
公開番号（公開出願番号）：特表2005-508822
出願日： 2002年10月30日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】様々な工業用途に適した十分な密度などの特性を有する多結晶GaN部材を製造すること。【解決手段】ガリウムの原子分率が約49〜55%の範囲にあり、見掛け密度が約5.5〜6.1g/cm3であり、ビッカース硬度が約1GPaを超えることを特徴とする多結晶窒化ガリウム(GaN)。温度約1150〜1300°C、圧力約1〜10kbarで熱間等方圧加圧処理(HIP処理)することによって多結晶GaNを製造できる。別法として、温度約1200〜1800°C、圧力約5〜80kbarで高圧/高温(HP/HT)焼結処理することによって多結晶GaNを製造することもできる。

請求項（抜粋）：

ガリウムの原子分率が約49〜55%の範囲にあり、見掛け密度が約5.5〜6.1g/cm3であり、ビッカース硬度が約1GPaを超える、多結晶窒化ガリウム(GaN)。

IPC (1件)：

C04B35/58

FI (1件)：

C04B35/58 101A

Fターム (5件)：

4G001BA31 ,  4G001BB31 ,  4G001BC43 ,  4G001BD38 ,  4G001BE22

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6113985号
  

審査官引用 (4件)

• 窒化物結晶の成長方法およびGaN結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-221628   出願人：日立電線株式会社
• 熱間等方加圧焼結体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-254813   出願人：秩父小野田株式会社
• ガラスカプセルを用いた焼結方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-196785   出願人：宮本欽生, 中外炉工業株式会社, 株式会社クボタ
• 特開平2-228470