特許
J-GLOBAL ID：200903025702770473
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-238972
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064044
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 バリアメタル層のバリア性を向上させることができ、素子特性の向上や配線の信頼性向上等をはかる。【解決手段】 半導体基板上にバリアメタルを介して配線を形成した半導体装置において、半導体基板31の表面に溝33が形成され、この溝33の底面及び側面に、内部にW微結晶を含んW-Si-Nのアモルファス状合金層34が形成され、溝33内に合金層34を介して配線としてのCu膜35が埋込み形成されている。
請求項（抜粋）：
電極又は配線層の少なくとも底面にW-Si-Nのアモルファス状の合金層を形成してなり、この合金層の内部に該合金膜厚よりも径の小さい微結晶を含んだ構造を持つことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
H01L 21/88 R
, H01L 21/28 301 T
, H01L 21/88 M
