特許

J-GLOBAL ID：200903025743180605

ダイヤモンド合成用CVD装置

発明者： 有屋田 修 ,  佐藤 進 ,  鈴木 浩明
出願人/特許権者： アリオス株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-266462
公開番号（公開出願番号）：特開2006-083405
出願日： 2004年09月14日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：

【課題】 基板近傍だけでプラズマを効率的に発生させるとともに、不純物混入の防止、装置の小型化、消費電力の低減を実現して、半導体デバイス製作に必要な単結晶ダイヤモンドの合成に適したダイヤモンド合成用CVD装置を提供する。【解決手段】 放電室10を球状に形成し、この内面11を鏡面仕上げとする。放電室10の半径は、導入されるマイクロ波の波長の3/4の長さとする。そして、胴部が絶縁部材(石英)で囲まれた同軸アンテナ21の先端には基板ホルダ30が載せられ、さらにその上に処理対象物Aが載せられる。この基板ホルダ30あるいは処理対象物Aは、放電室10の中心に位置する。同軸構造20の底部は真空シール部40で完全メタルシールされている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

処理対象物の表面にダイヤモンドの薄膜を形成するダイヤモンド合成用CVD装置であって、 球状に形成された放電室と、 この放電室の内部へマイクロ波を供給する同軸アンテナと、 この同軸アンテナの先端に設けられた載置部材とを備え、 この載置部材又はこの載置部材上に置かれた前記処理対象物が、前記放電室の中心に位置する ことを特徴とするダイヤモンド合成用CVD装置。

IPC (4件)：

C23C 16/511 ,  C23C 16/27 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

C23C16/511 ,  C23C16/27 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 B

Fターム (17件)：

4K030FA01 ,  4K030KA01 ,  4K030KA15 ,  4K030KA45 ,  4K030KA46 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AD14 ,  5F045AE05 ,  5F045AF02 ,  5F045BB10 ,  5F045CA09 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EC01 ,  5F045EM01

引用特許：

出願人引用 (3件)

• ダイヤモンドの合成方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-172757   出願人：株式会社日本製鋼所
• 特開平02-188495号公報
  
• マイクロ波プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-308404   出願人：電気興業株式会社, 東芝タンガロイ株式会社

審査官引用 (4件)

• 特開平4-136179
  
• 特開平2-226721
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-072588   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭62-221107