特許
J-GLOBAL ID：200903044547154102

プラズマ処理装置

発明者：
原口 秀夫

原口 秀夫 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-072588
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273083
出願日： 2002年03月15日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 基板に対して均一な処理を行うことができる、プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 プラズマ処理装置は、基板25が収容された真空容器30の内部空間である真空処理室34にガスを導入すると共に排出しつつプラズマ75を発生させ、このプラズマ75により基板25を処理する。真空処理室34は球状である。
請求項（抜粋）：
基板が収容される真空容器の内部空間である真空処理室にガスを導入すると共に排出しつつ高周波電力を印加してプラズマを発生させ、このプラズマにより基板を処理するプラズマ処理装置であって、上記真空処理室が上半球部と下半球部とを備える球状であることを特徴とする、プラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/505
FI (2件)：
C23C 16/505 ,  H01L 21/302 101 C
Fターム (14件)：
4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA01 ,  4K030GA04 ,  4K030KA01 ,  4K030KA30 ,  5F004AA01 ,  5F004AA15 ,  5F004BA20 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004BC02 ,  5F004BD03
引用特許：
審査官引用 (7件)
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