特許
J-GLOBAL ID：200903025743309683
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-282156
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103375
出願日： 2006年10月17日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：
【課題】ストライプコンタクト構造を有するMOS型半導体装置において、L負荷耐量を低下させることなく、オン抵抗を低減させること。【解決手段】隣り合うトレンチ25の間の領域にn+ソース領域24を形成する際に、トレンチ間の領域の中央部分をマスクして不純物を注入し、n+ソース領域24の、隣り合うトレンチ25の間の中央部分の深さを、トレンチ近傍部分の深さよりも浅くする。そして、そのn+ソース領域24の浅い部分に、pウェル領域23の他の部分よりも濃度が高い高濃度pウェル領域32を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板層、前記半導体基板層の上に設けられた第2導電型のウェル領域、前記ウェル領域を貫通して前記半導体基板層に達するストライプ状の複数のトレンチ、前記ウェル領域の上に選択的に設けられた第1導電型のソース領域、前記ウェル領域の上に選択的に設けられた第2導電型のウェルコンタクト領域、前記トレンチ内にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極、前記ソース領域および前記ウェルコンタクト領域に共通に接触する第1の電極、並びに前記半導体基板層に電気的に接続される第2の電極、を備え、前記ソース領域および前記ウェルコンタクト領域が、ともに、隣り合う前記トレンチ間で一方のトレンチから他方のトレンチに至るまで伸び、かつトレンチ長手方向に交互に配置された半導体装置において、
前記ソース領域の、隣り合う前記トレンチ間の中央部分の深さが、同ソース領域のトレンチ近傍部分の深さよりも浅いことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (5件)：
H01L29/78 653A
, H01L29/78 652D
, H01L29/78 652C
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 658A
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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