特許
J-GLOBAL ID：200903084438819155
埋め込みゲートを有するMOSゲート装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏原 三枝子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-044636
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252468
出願日： 2000年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】トレンチゲート構造を有するMOSトランジスターを提供する。【解決手段】 改良されたトレンチMOSゲート装置は、上にドープされた層を配置したモノクリスタル半導体基体201を具える。この上側層は上側表面上に重くドープされた第1の極性を有し、ドレイン領域203の上に横たわる複数の本体領域を具える。上側層は、さらに、その上側表面に、本体領域の極性と逆の第2の極性を得る重くドープされた複数のソース領域を含む。ゲートトレンチ207は前記上側層の上側表面214からドレイン領域203まで延在しており、位置のソース領域を次の領域から隔離している。トレンチは誘電材料でできた層を具えるフロア209およびサイドウオール208を有し、選択されたレベルまで満たされた導電ゲート材料と、ゲート材料210の上に横たわりトレンチを実質的に満たしている誘電材料でできた絶縁層を含む。
請求項（抜粋）：
ドープされたモノクリスタル半導体材料を具える基体と、前記基体の上に配置されドープされた上側層であって、上側表面を有し、その上側表面に第1の極性を有する重くドープされた複数の本体領域を具える上側層を具え、前記本体領域は前記上側層のドレイン領域に横たわっており、前記上側層がさらに前記上側表面に第2の極性を有し前記上側表面から前記上側層内に選択された深さまで延在する重くドープされた複数のソース領域と、前記ソース領域のひとつを次のソース領域から分離しているゲートトレンチとを具え、前記トレンチは前記上側層の上側表面からドレイン領域へ延在しており、前記トレンチは誘電材料でできた層を具えるフロアとサイドウオールを有し、前記トレンチは前記上側層の上側表面のほぼ下に選択されたレベルまでを満たす導電ゲート材料と前記ゲート材料の上に横たわる誘電材料でできた絶縁層で満たされており、前記トレンチ内の前記誘電材料でできた上に横たわる層は前記上側層の上側表面とほぼ共通の平面をなす上側表面を有し、前記基体はモノクリスタルシリコンを具え、前記上側層がエピタキシャル層を具えていることを特徴とする、トレンチMOSゲート装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 653
, H01L 29/78
H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 653 C
