特許
J-GLOBAL ID:200903025777637639

基板の乾燥方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-028445
公開番号(公開出願番号):特開2002-231688
出願日: 2001年02月05日
公開日(公表日): 2002年08月16日
要約:
【要約】【課題】 効率的でかつ廉価な基板の乾燥方法を提供する。【解決手段】 リンス処理(リンス工程 S1)後、まず、窒素による圧送により、ウエハ20が配置された密閉処理容器12に残留した超純水等の水分が密閉処理容器12の下部から排出される(リンス液排出工程 S2)。つぎに、低温状態下にある密閉処理容器12内に窒素を高速で吹き込んで、密閉処理容器12内に残存する超純水等を吹き飛ばして排出する(残存液除去工程 S3)。つぎに、IPA蒸気を同伴した窒素を密閉処理容器12内に供給する(残存液置換工程 S4)。最後に、密閉処理容器12内を大気圧未満の所定の圧力に減圧しながら、窒素を密閉処理容器12内に吹き込んで乾燥を終了させる(乾燥工程 S5)。
請求項(抜粋):
薬液洗浄およびリンスを行った後の基板を密閉した系内で乾燥する方法であって、窒素を密閉処理容器内に所定時間高速で吹き込んで、該密閉処理容器内に残存するリンス液を吹き飛ばして排出する残存液除去工程と、アルコール蒸気を同伴した窒素を該密閉処理容器内に所定の時間供給する残存液置換工程とを有することを特徴とする基板の乾燥方法。
IPC (5件):
H01L 21/304 651 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/08 ,  F26B 5/00 ,  F26B 21/14
FI (6件):
H01L 21/304 651 L ,  H01L 21/304 651 H ,  H01L 21/304 651 K ,  B08B 3/08 Z ,  F26B 5/00 ,  F26B 21/14
Fターム (20件):
3B201AA03 ,  3B201AB01 ,  3B201AB42 ,  3B201BB03 ,  3B201BB92 ,  3B201BB93 ,  3B201CC01 ,  3B201CC12 ,  3B201CC15 ,  3L113AA01 ,  3L113AB02 ,  3L113AC23 ,  3L113AC28 ,  3L113AC45 ,  3L113AC46 ,  3L113AC67 ,  3L113AC75 ,  3L113BA34 ,  3L113DA01 ,  3L113DA24
引用特許:
審査官引用 (8件)
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