メモリデバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：土井健二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-146765
公開番号（公開出願番号）：特開平11-339484
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】フラッシュメモリをクロックに同期したバースト読み出しモードとクロックに非同期の通常読み出しモードとで動作可能にする。【解決手段】フラッシュメモリ等の不揮発性メモリデバイスにおいて、クロックに同期したバースト読み出しモードとクロックに非同期の通常読み出しモードの両方の読み出し動作を可能にした構成であり、電源投入に応答して通常読み出しモードに設定され、バースト読み出しを指令する制御信号に応答してバースト読み出しモードに設定されることを特徴とする。そのために、メモリデバイスは、内部にバーストモード切換回路を有し、このバーストモード切換回路が、電源投入に応答して出力回路を通常読み出しモードに設定し、電源投入後はクロックに非同期な読み出し動作を可能にする。更に、システム側から供給されるバーストモード制御信号に応答して、バーストモード切換回路が出力回路をバースト読み出しモードに設定する。

請求項（抜粋）：

不揮発性のメモリセルを有するメモリデバイスにおいて、前記メモリセルからの読み出しデータを、クロックに同期したバースト読み出し動作、またはクロックに非同期の通常読み出し動作を行う出力回路と、電源投入時に、前記出力回路を前記通常読み出しモードに設定し、外部からの所定の制御信号に応答して、前記出力回路を前記バースト読み出しモードに設定するバーストモード切換回路とを有することを特徴とするメモリデバイス。

IPC (2件)：

G11C 16/02 , G11C 17/18

FI (2件)：

G11C 17/00 613 , G11C 17/00 306

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-126685
特開平1-208791
不揮発性半導体多値記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-241116 出願人：株式会社日立製作所

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