特許
J-GLOBAL ID：200903025832615186

半導体装置の製造方法

発明者：
高尾 幸弘

高尾 幸弘 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (2件)： 須藤 克彦 ,  岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-179483
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019521
出願日： 2003年06月24日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】信頼性の高いBGAを有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板51の表面にパッド電極53を形成し、その同じ面にガラス基板56を接着する。半導体基板51の裏面から、パッド電極53上に半導体基板51を貫通するビアホールVHを形成する。ビアホールVH内を含む半導体基板51の裏面上に有機絶縁膜60を形成し、これをレーザー照射や露光法等によりエッチングすることで、ビアホールVHの側壁に側壁有機絶縁膜60Aを残す。そして、パッド電極53と電気的に接続され、かつビアホールVHから半導体基板51の裏面上に延びる配線層61を形成する。配線層61上にハンダボール63を形成する。そして、半導体基板51を複数の半導体チップ51Aに分割する。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
半導体基板の第1の主面上に形成されたパッド電極を含む当該第1の主面にガラス基板を接着する工程と、 前記パッド電極上に前記半導体基板を貫通するビアホールを形成する工程と、 前記ビアホール内を含む前記半導体基板の第2の主面上の全面に有機絶縁膜を形成する工程と、 前記ビアホール内の前記有機絶縁膜を選択的に除去し、前記パッド電極を露出すると共に、前記ビアホールの側壁に側壁有機絶縁膜を残す工程と、 前記ビアホールを通して、前記パッド電極と電気的に接続され、かつ前記ビアホールから前記半導体基板の第2の主面上に延びる配線層を形成する工程と、 前記配線層上に導電端子を形成する工程と、 前記半導体基板を複数の半導体チップに分割する工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L23/12 ,  H01L21/3205
FI (4件)：
H01L23/12 501C ,  H01L23/12 501Z ,  H01L21/88 J ,  H01L21/88 T
Fターム (30件)：
5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ14 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033MM30 ,  5F033NN32 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR06 ,  5F033RR15 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033SS15 ,  5F033TT07 ,  5F033VV07 ,  5F033XX02
引用特許：
出願人引用 (3件)

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