特許
J-GLOBAL ID：200903025880479022

半導体装置及びその製造方法

発明者：
西村 淳

西村 淳 について

, 
樋野村 徹

樋野村 徹 について

, 
濱中 雅司

濱中 雅司 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-370605
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179645
出願日： 2004年12月22日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：
【課題】開口径が微細化され、高アスペクト比化されたコンタクトホールに対して、Ti膜及びTiN膜の機能を保持したまま、W膜の埋め込み特性を向上させる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板101の上面にNiSi層102を形成し、半導体基板101の上に層間絶縁膜103を堆積した後、層間絶縁膜103にコンタクトホール104を形成する。次に、層間絶縁膜103上に、コンタクトホールを覆うようにTi膜105を形成し、プラズマ窒化の処理を行う。これにより、Ti膜105における層間絶縁膜103の上面とコンタクトホールの底面にTiN膜106が形成される。次に、Ti膜105の上にコンタクトホールを埋め込むようW膜107を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に形成され前記半導体基板に接続する溝と、前記溝を覆うように形成された第1の金属を含む導電膜と、前記溝を埋めるように形成された第2の金属を含む導電膜とを有する半導体装置において、 前記溝の底部の前記第1の金属を含む導電膜は、金属窒化膜であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28
FI (2件)：
H01L21/90 C ,  H01L21/28 301S
Fターム (47件)：
4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD22 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD75 ,  4M104DD79 ,  4M104DD84 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH05 ,  4M104HH16 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033NN03 ,  5F033NN05 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP11 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ78 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033WW03 ,  5F033XX04 ,  5F033XX09 ,  5F033XX10
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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