特許
J-GLOBAL ID:200903025892122839
半導体装置製造方法および半導体装置の製造装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
須山 佐一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-200955
公開番号(公開出願番号):特開2001-028376
出願日: 1999年07月14日
公開日(公表日): 2001年01月30日
要約:
【要約】【課題】 基板にフェースダウン接合された半導体素子を樹脂充填して半導体装置を製造する際に、従来は粘性を有する液状の樹脂を用いて樹脂充填行うために、樹脂の供給に時間がかかるとともに、樹脂中に空孔を残し易いという問題があった。そこで樹脂の供給を短時間で行って樹脂充填ができるため生産性がよく、しかも充填し樹脂中に空孔を残さない樹脂充填による半導体装置の製造方法、およびそのための半導体装置の製造装置を提供する。【解決手段】 基板上にフェースダウン接合された半導体素子に、加熱により軟化し粘度が低下するシート状樹脂を、フェースダウン接合された半導体素子の外周部の少なくとも一部を残して配置し、シート状樹脂が半導体素子の外周部に配置された基板を加熱してシート状樹脂を粘度低下させることにより、半導体素子と基板との間に樹脂を充填する。また樹脂の加熱を減圧下で行うことによって、気体の巻き込みを防止し、さらに気圧を加えることによって、樹脂中の閉じこめられた空孔は消滅させる。
請求項(抜粋):
半導体素子を基板上にフェースダウン接合する工程と、加熱により軟化し粘度が低下するシート状樹脂を、フェースダウン接合された前記半導体素子に対し、前記半導体素子の外周部の一部を残して配置する工程と、前記シート状樹脂が前記半導体素子の外周部に配置された前記基板を加熱して前記シート状樹脂を粘度低下させることにより、前記半導体素子と前記基板との間に樹脂を充填する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (5件):
5F061AA01
, 5F061BA03
, 5F061CA03
, 5F061CB12
, 5F061DE06
引用特許:
審査官引用 (5件)
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半導体装置の製法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-074246
出願人:日東電工株式会社
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樹脂封止方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-110720
出願人:松下電器産業株式会社
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樹脂封止型半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-058404
出願人:株式会社東芝
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